查看“STM8 FLASH主要特性”的源代码


<table border="0" cellpadding="0" cellspacing="0" style="color: rgb(72, 61, 139); font-family: Arial, 新宋体, 微软雅黑; font-size: 12px;" width="780"><tbody><tr><th scope="col" valign="top">

STM8内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM由一组通用寄存器来控制。用户可以使用这些寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。用户也可以对器件的选项字节(Option byte)进行编程。<li>STM8S EEPROM分为两个存储器阵列： 
<li>最多至 128K字节的FLASH程序存储器，不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。 
</li><li>最多至 2K字节的数据EEPROM(包括option byte－选择字节)，不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。 
</li></li><li>编程模式 
<li>字节编程和自动快速字节编程(没有擦除操作) 
</li><li>字编程 
</li><li>块编程和快速块编程(没有擦除操作) 
</li><li>在编程/擦除操作结束时和发生非法编程操作时产生中断 
</li></li><li>读同时写(RWW)功能。该特性并不是所有STM8S器件都拥有。请参考ATM8具体的数据手册了解更多细节。 
</li><li>在应用编程(IAP)和在线编程(ICP)能力。 
</li><li>保护特性 
<li>存储器读保护(ROP) 
</li><li>基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的程序存储器写保护 
</li><li>基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的数据存储器写保护 
</li><li>可编程的用户启动代码区域(UBC)写保护 
</li></li>* 在待机(Halt)模式和活跃待机(Active-halt)模式下，存储器可配置为运行状态和掉电状态。</th></tr></tbody></table>