STM8 FLASH主要特性

STM8内部的FLASH程序存储器和数据EEPROM由一组通用寄存器来控制。用户可以使用这些寄存器来编程或擦除存储器的内容、设置写保护、或者配置特定的低功耗模式。用户也可以对器件的选项字节(Option byte)进行编程。

STM8S EEPROM分为两个存储器阵列：

最多至 128K字节的FLASH程序存储器，不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。

最多至 2K字节的数据EEPROM(包括option byte－选择字节)，不同的器件容量有所不同。请参考4.4存储器组织结构了解更多细节。

编程模式

字节编程和自动快速字节编程(没有擦除操作)

字编程

块编程和快速块编程(没有擦除操作)

在编程/擦除操作结束时和发生非法编程操作时产生中断

读同时写(RWW)功能。该特性并不是所有STM8S器件都拥有。请参考ATM8具体的数据手册了解更多细节。

在应用编程(IAP)和在线编程(ICP)能力。

保护特性

存储器读保护(ROP)

基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的程序存储器写保护

基于存储器存取安全系统(MASS密钥)的数据存储器写保护

可编程的用户启动代码区域(UBC)写保护

* 在待机(Halt)模式和活跃待机(Active-halt)模式下，存储器可配置为运行状态和掉电状态。

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